Ce travail porte sur lélaboration et la caractérisation des films de nitrure de titane déposés sur silicium par CVD à partir des précurseurs: tétrachlorure de titane (TiCl4), ammoniac (NH3) et hydrogène (H2). Les films sont réalisés dans un réacteur basse pression à chauffage rapide (RTLPCVD). Deux procédés de dépôt ont été proposés: un monocycle et un multicycle, ainsi que deux groupes de paramètres: le groupe 1 avec une haute température de dépôt (800°C) et une phase gazeuse riche en ammoniac et le groupe 2 avec une faible température de dépôt (500°C) et une phase gazeuse pauvre en ammoniac. Létude des coefficients de sursaturation et des énergies libres de surface a permis de calculer les rayons des germes critiques. Des hypothèses sur les modes de croissance ont été émises: la germination des couches élaborées avec les paramètres du groupe 1 se ferait selon le mode de germination 2D-3D alors que la germination des groupes élaborées avec les paramètres du groupe 2 se ferait selon le mode de croissance 3D. Les dépôts ont été caractérisés par diffraction X, RBS, XPS, mesure de résistivité, spectrocolorimétrie, rugosité de surface et comportement tribologique.

Docteur en Sciences des Matériaux et Génie des Procédés de l'Ecole Nationale Supérieure d'Arts et Métiers, Maître de conférences à Polytech Clermont-Ferrand,Membre du Laboratoire Institut Pascal - axe GePEB.Ses recherches portent sur l'élaboration et la caractérisation des interfaces solide-solide, solide-liquide et solide-gaz.